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2SD1894_2015

更新时间： 2024-11-08 01:15:55

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锦美电子 - JMNIC		/
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3页	86K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1894_2015 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SD1894

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·Optimum for 60W HiFi output

·High foward current transfer ratio

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SB1254

APPLICATIONS

·Power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

160

Open base

140

Open collector

I_CP

Collector current-peak

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

JMnic

12 3

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