2SD1895

更新时间： 2024-11-06 22:52:47

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)

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2SD1895 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3FA1
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	5000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1895 数据手册

Power Transistors

2SD1895

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

For power amplification

Unit: mm

Complementary to 2SB1255

15.0±0.3

11.0±0.2

5.0±0.2

3.2

Features

Optimum for 90W HiFi output

■

●

φ3.2±0.1

2.0±0.2

●

High foward current transfer ratio h_FE: 5000 to 30000

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat): <2.5V

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

●

2.0±0.1

0.6±0.2

one screw

1.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

5.45±0.3

10.9±0.5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

160

1:Base

2:Collector

3:Emitter

140

TOP–3 Full Pack Package(a)

I_C

Internal Connection

Collector power T_C=25°C

100

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

V_CB= 160V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

V_CE= 140V, I_B= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

Collector to emitter voltage

_C= 30mA, I_B= 0

140

2000

5000

V_CE= 5V, I_C= 1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= 5V, I_C= 7A

30000

2.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 7A, I_B= 7mA

3.0

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

2.0

6.0

1.2

MHz

µs

I_C= 7A, I_B1= 7mA, I_B2= –7mA,

V_CC= 50V

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

5000 to 15000 8000 to 30000

12 3

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