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2SD1894

更新时间： 2024-11-06 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 56K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)

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2SD1894 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3FA1
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：5000
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SD1894 数据手册

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Power Transistors  
2SD1894  
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington  
For power amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB1254  
15.0±0.3  
11.0±0.2  
5.0±0.2  
3.2  
Features  
Optimum for 60W HiFi output  
■
●
φ3.2±0.1  
2.0±0.2  
●
High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): <2.5V  
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
●
●
2.0±0.1  
0.6±0.2  
one screw  
1.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
5.45±0.3  
10.9±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
160  
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
140  
V
5
V
TOP–3 Full Pack Package(a)  
12  
A
IC  
7
A
Internal Connection  
Collector power TC=25°C  
70  
PC  
W
C
dissipation  
Ta=25°C  
3
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
E
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
100  
100  
Unit  
µA  
µA  
µA  
V
VCB = 160V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
VCE = 140V, IB = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
Collector to emitter voltage  
I
C = 30mA, IB = 0  
140  
2000  
5000  
VCE = 5V, IC = 1A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
VCE = 5V, IC = 6A  
30000  
2.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 6A, IB = 6mA  
V
V
IC = 6A, IB = 6mA  
3.0  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
20  
2.5  
5.0  
2.5  
MHz  
µs  
IC = 6A, IB1 = 6mA, IB2 = –6mA,  
VCC = 50V  
µs  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
5000 to 15000 8000 to 30000  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1894_15 JMNIC

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2SD1894P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247VAR
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