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2SD1888C7K

更新时间: 2024-10-28 21:21:39
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罗姆 - ROHM 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

2SD1888C7K 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):6 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):2000
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SD1888C7K 数据手册

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