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2SD1889

更新时间: 2024-01-18 20:20:49
品牌 Logo 应用领域
SAVANTIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 107K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SD1889 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SC-67, TO-220FP, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.44
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:30 W最大功率耗散 (Abs):30 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2SD1889 数据手册

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SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SD1889  
DESCRIPTION  
·With TO-220Fa package  
·DARLINGTON  
·Complement to type 2SB1340  
·High DC current gain  
APPLICATIONS  
·Low frequency power amplification  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Collector  
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol  
3
Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector -emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
UNIT  
120  
V
V
V
A
A
Open base  
120  
Open collector  
6
6
10  
ICM  
Collector current-peak  
TC=25ꢀ  
Ta=25ꢀ  
30  
PC  
Collector power dissipation  
W
2
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-55~150  
Tstg  

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