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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1863TV6/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1863TV6/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1863TV6/PR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1863TV6/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1863TV6/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1863TV6P | ROHM |
获取价格 |
1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1864 | ROHM |
获取价格 |
Power Transistor 50V, 3A |
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| 2SD1864 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-92LM |
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| 2SD1864N | ROHM |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SD1864P | ROHM |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP |
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