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2SD1864TV2/Q

更新时间： 2024-09-17 09:12:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管电视
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN

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2SD1864TV2/Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：90 MHzVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

2SD1864TV2/Q 数据手册

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Power Transistor (50V, 3A)  
2SD1864  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Low VCE(sat).  
2SD1864  
VCE(sat) = 0.5V (Typ.)  
(IC/IB = 2A / 0.2A)  
2) Complements the 2SB1243.  
2.5 0.2  
6.8 0.2  
Structure  
0.65Max.  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
0.5 0.1  
(1) (2)  
(3)  
2.54  
2.54  
1.05  
0.45 0.1  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : ATV  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
V
50  
V
V
5
3
A (DC)  
A (Pulse)  
W
Collector current  
I
C
∗1  
4.5  
∗2  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
1
Tj  
150  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗1 Single pulse, P =100ms  
W
∗2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
Unit  
V
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
60  
50  
5
−
−
I
I
I
C
=50μA  
=1mA  
−
V
C
−
−
V
E
=50μA  
CB=40V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE (sat)  
FE  
−
−
1
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
−
1
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
0.5  
−
1
I
C
/I  
B=2A/0.2A  
∗
∗
∗
−
h
120  
−
390  
V
V
V
CE=3V, I  
C
=0.5A  
=−500mA, f=30MHz  
=0A, f=1MHz  
Transition frequency  
f
T
90  
40  
−
−
MHz  
pF  
CE=5V, I  
E
Output capacitance  
Cob  
−
CB=10V, I  
E
∗ Measured using pulse current.  
www.rohm.com  
2010.04 - Rev.B  
1/3  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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与2SD1864TV2/Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1864TV2/QR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1864TV2/R ROHM

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 		3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN
2SD1864TV2P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
2SD1864TV2Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
2SD1864TV2R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
2SD1864TV3 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1864TV3/Q ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1864TV3/R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1864TV3P ROHM

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 		3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1864TV3R ROHM

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 		3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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