2SD1864P

更新时间： 2024-09-15 23:20:27

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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3页	79K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SIP

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2SD1864P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	82	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	90 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1864P 数据手册

2SD1760 / 2SD1864

Transistors

Power Transistor (50V, 3A)

2SD1760 / 2SD1864

!Features

!External dimensions (Units : mm)

CE(sat)

1) Low V

2SD1760

2SD1864

CE(sat)

= 0.5V (Typ.)

2.5±0.2

6.8±

0.2

+0.2

2.3

−0.1

(I /I = 2A / 0.2A)

6.5±0.2

C0.5

+0.2

5.1

0.5±0.1

−0.1

2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243.

0.65Max.

0.65±0.1

0.75

0.9

!Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

0.5±0.1

0.55±0.1

1.0±0.2

2.3±0.2 2.3±0.2

(1) (2) (3)

(1) (2)

(3)

2.54

1.05

0.45±0.1

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : CPT3

EIAJ

SC-63

ROHM : ATV

!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

VCBO

VCEO

VEBO

A (DC)

A (Pulse)

Collector current

4.5

2SD1760

2SD1864

W (Tc =25°C)

Collector power

dissipation

°C

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

−55~+150

1 Single pulse, P

= 100ms

2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm²or larger.

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