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2SD1789_15

更新时间: 2024-11-06 01:20:19
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锦美电子 - JMNIC /
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3页 84K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SD1789_15 数据手册

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Product Specification  
www.jmnic.com  
Silicon NPN Power Transistors  
2SD1789  
DESCRIPTION  
·With ITO-220 package  
·Switching power transistor  
PINNING  
PIN  
DESCRIPTION  
1
Base  
2
3
Collector  
Emitter  
Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol  
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
UNIT  
VCBO  
Collector-base voltage  
200  
V
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open base  
200  
7
V
V
Open collector  
±4  
A
ICM  
IB  
Collector current-Peak  
Base current  
±6  
A
0.3  
0.5  
25  
A
IBM  
PT  
Base current-Peak  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Dielectric strength  
Mounting torque  
A
TC=25  
W
kV  
N·m  
Tj  
150  
-55~150  
2
Tstg  
Vdis  
TOR  
Terminals to case,AC 1 minute  
(Recommended torque:0.3N·m)  
0.5  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
Thermal resistance junction to case  
MAX  
UNIT  
Rth j-C  
5.0  
/W  
JMnic  

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