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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD1766T100/QR
2SD1766T100/QR PDF预览

2SD1766T100/QR

更新时间： 2024-01-04 04:12:33
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 171K
描述
2A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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2SD1766T100/QR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.58
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：2 W
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.8 V
Base Number Matches：1

2SD1766T100/QR 数据手册

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2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862  
Data Sheet  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ. Max.  
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
40  
32  
5
−
−
−
−
I
I
I
C
=50μA  
=1mA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
V
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
−
V
E
=50μA  
CB=20V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
−
−
1
μA  
μA  
−
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
−
1
∗
DC current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
h
120  
−
390  
0.8  
−
−
CE=3V, I =0.5A  
C
∗
∗
V
0.5  
100  
30  
I
C
/I  
CE=5V, I  
CB=10V, I  
B
=2A / 0.2A  
=−50mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
V
f
T
−
MHz  
pF  
V
V
E
Output capacitance  
Cob  
−
−
E
Measured using pulse current.  
∗
Packaging specifications and hFE  
Package  
Taping  
TL  
Code  
Basic ordering  
unit (pieces)  
T100  
1000  
TV2  
2500  
−
2500  
Type  
hFE  
2SD1766  
2SD1758  
2SD1862  
QR  
QR  
QR  
−
−
−
−
−
hFE values are classified as follows :  
Item  
Q
R
hFE  
120 to 270 180 to 390  
Electrical characteristic curves  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
Ta=25°C  
Ta=25°C  
2000  
Ta=25°C  
3.0mA  
2.7mA  
2.4mA  
2.1mA  
1.8mA  
1.5mA  
1.2mA  
V
CE=3V  
500  
1000  
500  
200  
100  
50  
200  
100  
50  
V
CE=3V  
1V  
20  
10  
5
0.9mA  
0.6mA  
0.3mA  
0.1  
0
2
1
0
IB=0A  
20  
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0  
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
5
10 20  
50 100 200 500 1A 2A  
(mA)  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
Fig.1 Grounded emitter propagation  
characteristics  
Fig.2 Grounded emitter output  
characteristics  
Fig.3 DC current gain vs. collector  
current  
1000  
2
1
Ta=25°C  
CE=5V  
Ta=25°C  
Ta=25°C  
V
500  
500  
IC/IB=10  
200  
100  
200  
100  
50  
0.5  
IC/IB=50  
0.2  
0.1  
50  
20  
10  
10 20 50 100 200 500 1A 2A  
20  
−1 −2  
20  
5
10 20  
50 100 200 500 1A 2A  
(mA)  
−5 −10 −20 −50−100−200 −500 −1A  
EMITTER CURRENT : I (mA)  
5
COLLECTOR CURRENT : I  
C
COLLECTOR CURRENT : I (mA)  
C
E
Fig.4 Collector-emitter saturation  
voltage vs. collector current  
Fig.5 Collector-emitter saturation  
voltage vs. collector current  
Fig.6 Transition frequency vs. emitter  
current  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.B  
2/3  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1766T100P ROHM

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 		2000mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN
2SD1766T100PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1766T100PR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1766T100Q ROHM

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 		Medium power transistor (32V, 2A)
2SD1766T100QR ROHM

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2SD1766T101/P ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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