2SD1472CTTR-E

更新时间： 2024-11-21 06:20:03

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Silicon NPN Epitaxial, Darlington

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2SD1472CTTR-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SC-62, UPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	2000 ns

2SD1472CTTR-E 数据手册

2SD1472

Silicon NPN Epitaxial, Darlington

REJ03G0792-0300

Rev.3.00

Nov 30, 2007

Application

Low frequency power amplifier

Outline

RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A

(Package name: UPAK ^R

)

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Collector (Flange)

I_D

6 kΩ

(Typ)

0.5 kΩ

(Typ)

Note: Marking is “CT”.

*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Symbol

V_CBO

V_CEO

Ratings

Unit

120

1.5

3.0

V_EBO

I_C

i_C(peak)

P_C*²

1.0

150

°C

Storage temperature

E to C diode forward current

Tstg

I_D

–55 to +150

1.5

Notes: 1. Pulse ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%

2. Value on the alumina ceramic board (12.5 x 30 x 0.7 mm)

REJ03G0792-0300 Rev.3.00 Nov 30, 2007

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