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2SD1476O

更新时间： 2024-11-21 19:42:19

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无锡固电 - ISC		/
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2页	241K
描述
Transistor

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2SD1476O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1476O 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1476

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 1.0V(Max)@ I_C= 2A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 60V (Min)

·Good Linearity of h_FE

APPLICATIONS

·Designed for power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Peak

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.4

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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2SD1476P	ISC	获取价格	Transistor
2SD1476Q	ISC	获取价格	暂无描述
2SD1476R	ISC	获取价格	Transistor
2SD1478	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency amplification)
2SD1478/2SD1478A	ETC	获取价格	2SD1478. 2SD1478A - NPN Transistor darlington
2SD1478A	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency amplification)
2SD1478AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-236AB
2SD1478AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-236AB
2SD1478ATMG	PANASONIC	获取价格	暂无描述
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