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2SD1295S

更新时间： 2024-11-02 19:52:39

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	83K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, U-G2, SC-63, 3 PIN

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2SD1295S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-63	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1295S 数据手册

Power Transistors

2SD1295

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

6.5 0.1

5.3 0.1

4.35 0.1

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SB0968

2.3 0.1

0.5 0.1

■ Features

• Possible to solder radiation fin directly to printed circuit board

• Output of 4 W can be obtained by a complementary pair with

2SB0968

1.0 0.1

0.1 0.05

0.5 0.1

0.75 0.1

2.3 0.1

(5.3)

(4.35)

(3.0)

4.6 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

1: Base

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

2: Collector

3: Emitter

EIAJ: SC-63

U-G2 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

1.5

Note) Self-supported type package is also prepared.

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emiter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

I_C= 1 mA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

V_CE= 5 V, I_C= 1 A

µA



I_CEO

100

Emiter-base cutoff current (Collector open) I_EBO

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

h_FE

220

V_CE(sat)I_C= 1.5 A, I_B= 0.15 A

V_BE(sat)I_C= 2 A, I_B= 0.2 A

1.5

f_T

V_CE= 5 V, I_C= − 0.5 A, f = 200 MHz

V_CB= 20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

80 to 160

120 to 220

Publication date: September 2003

SJD00192AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1296	NEC	获取价格	Darlington Power Transistors
2SD1296	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1296	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1296	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1296-3PN_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1296-3PN_2015	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1296J	ISC	获取价格	Transistor
2SD1296K	ISC	获取价格	暂无描述
2SD1296L	ISC	获取价格	Transistor
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