2SD1296

更新时间： 2024-11-02 06:16:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	160K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1296 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1296

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High DC current gain

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

·For audio frequency power amplifier

and low speed high current switching

industrial use

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

MAX

150

100

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

T_C=25℃

T_a=25℃

100

3.0

P_T

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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