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2SD1295

更新时间： 2024-11-01 22:40:27
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 56K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency output amplification)

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2SD1295 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-63包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：140 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SD1295 数据手册

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Power Transistors  
2SB968  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
6.5±0.1  
5.3±0.1  
4.35±0.1  
2.3±0.1  
For low-frequency output amplification  
Complementary to 2SD1295  
0.5±0.1  
Features  
■
1.0±0.1  
0.1±0.05  
0.93±0.1  
●
Possible to solder the radiation fin directly to printed cicuit board  
0.5±0.1  
0.75±0.1  
●
High collector to emitter VCEO  
2.3±0.1  
4.6±0.1  
●
Large collector power dissipation PC  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
U Type Package  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Unit: mm  
6.5±0.2  
5.35  
4.35  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–50  
–40  
V
–5  
V
–3  
A
0.75  
0.6  
IC  
–1.5  
A
2.3 2.3  
Collector power dissipation (TC=25°C)  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
20  
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
0.5±0.1  
Tstg  
–55 to +150  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
EIAJ:SC–63  
U Type Package (Z)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–1  
Unit  
µA  
µA  
µA  
V
VCB = –20V, IE = 0  
CE = –10V, IB = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
V
–100  
–10  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Forward current transfer ratio  
VCBO  
VCEO  
IC = –1mA, IE = 0  
–50  
–40  
50  
IC = –2mA, IB = 0  
V
*
hFE  
VCE = –5V, IC = –1A  
220  
–1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –1.5A, IB = – 0.15A  
IC = –2A, IB = – 0.2A  
VCB = –5V, IE = 0.5A, f = 200MHz  
VCB = –20V, IE = 0, f = 1MHz  
V
V
–1.5  
Transition frequency  
fT  
150  
45  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
P
Q
R
50 to 100  
80 to 160  
120 to 220  
1
123

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