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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD1277A
2SD1277A PDF预览

2SD1277A

更新时间： 2024-11-01 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For midium-speed switching)

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2SD1277A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：500
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SD1277A 数据手册

 浏览型号2SD1277A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1277A的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SB951, 2SB951A  
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington  
For midium-speed switching  
Unit: mm  
4.2±0.2  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
Complementary to 2SD1277 and 2SD1277A  
2.7±0.2  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
φ3.1±0.1  
●
●
High-speed switching  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
+0.2  
–0.1  
0.5  
0.8±0.1  
Parameter  
Collector to  
Symbol  
Ratings  
Unit  
2SB951  
2SB951A  
2SB951  
–60  
2.54±0.25  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
–80  
5.08±0.5  
–60  
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB951A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
VEBO  
ICP  
–7  
V
A
A
TO–220 Full Pack Package(a)  
–12  
Internal Connection  
IC  
–8  
C
E
Collector power TC=25°C  
45  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–100  
–2  
Unit  
µA  
mA  
V
2SB951  
VCB = –60V, IE = 0  
current  
2SB951A  
VCB = –80V, IE = 0  
VEB = –7V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
IEBO  
Collector to emitter 2SB951  
voltage 2SB951A  
–60  
–80  
VCEO  
IC = –30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = –3V, IC = –4A  
2000  
500  
10000  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
VCE = –3V, IC = –8A  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –4A, IB = –8mA  
–1.5  
–2  
V
V
IC = –4A, IB = –8mA  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = –10V, IC = –1A, f = 1MHz  
20  
0.5  
2
MHz  
µs  
IC = –4A, IB1 = –8mA, IB2 = 8mA,  
VCC = –50V  
µs  
1
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
2000 to 5000 4000 to 10000  
1
123

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2SD1277A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE2547 NTE

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 Silicon Complementary Transistors Darlington Driver

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1277AP ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186
2SD1277AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186
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 		Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). lowvoltage power supply.

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