2SD1280

更新时间： 2024-11-01 22:40:27

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage type medium output power amplification)

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2SD1280 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1280 数据手册

Transistor

2SD1280

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-voltage type medium output power amplification

Unit: mm

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Satisfactory operation performances at high efficiency with the

low-voltage power supply.

45°

●

Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the maga-

zine packing.

0.4±0.08

0.4±0.04

0.5±0.08

1.5±0.1

3.0±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

marking

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–62

Mini Power Type Package

I_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

Marking symbol : R

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 10V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CEO

V_EBO

I_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= 2V, I_C= 500mA^*2

V_CE= 2V, I_C= 1.5A^*2

I_C= 500mA, I_B= 50mA^*2

I_C= 1A, I_B= 50mA^*2

150

100

360

Forward current transfer ratio

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

1.2

0.5

Transition frequency

f_T

V_CB= 6V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 6V, I_E= 0, f = 1MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

130 ~ 210

180 ~ 280

250 ~ 360

90 ~ 155

Marking Symbol

12 3

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