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2SD1280AR

更新时间： 2024-11-02 21:20:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 250K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, MINI PACKAGE-3

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2SD1280AR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-62包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：130JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SD1280AR 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SD1280  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low-voltage type medium output power amplification  
Unit: mm  
4.5 0.1  
1.6 0.2  
1.5 0.1  
■ Features  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-  
voltage power supply.  
• Mini power type package, allowing downsizing of the equpment  
and automatic insertion through the tape packing anthe magazine  
packing.  
3
2
0.4 0.0
1.5 0
5 0.08  
0.4 0.04  
3˚  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
45˚  
3.0 0.15  
Parameter  
Symbo
CBO  
VCEO  
EBO  
IC  
ing  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base
Emitter-base voltage (Coltor on)  
Collector current  
20  
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
20  
V
V
MiniP3-F1 Package  
1
A
Peak collecor current  
ICP  
2
A
Marking Symbol: R  
Collector powedissiation *  
Junction emeratue  
1
W
°C  
°C  
150  
torage tempre  
−55 to +150  
Noe) : Prinrcuit board: Coper foil aea of 1 cm2 or more, and the  
*
bard thickness o1.7 mm for the collector portion  
■ Electriaracteristics Ta = 25°C 3°C  
er  
Symbol  
VCEO  
Conditions  
IC = 1 mA, IB = 0  
Min  
20  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-ege (Base open)  
Emitter-base voe (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Forward current transfer ratio  
VEBO  
IE = 10 µA, IC = 0  
V
ICBO  
VCB = 10 V, IE = 0  
VCE = 2 V, IC = 0.5 A  
VCE = 2 V, IC = 1.5 A  
1
µA  
*
hFE1  
90  
50  
280  
hFE2  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 1 A, IB = 50 mA  
0.5  
1.2  
V
V
VBE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA  
fT  
VCB = 6 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz  
VCB = 6 V, IE = 0, f = 1 MHz  
150  
18  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
R
S
hFE1  
90 to 155  
130 to 210  
180 to 280  
Publication date: December 2002  
SJC00214CED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1280AS PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, MI
2SD1280AT PANASONIC

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 		暂无描述
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