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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1286-Z-E1 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP-3, 3 P |
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| 2SD1286-Z-E2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP-3, 3 P |
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| 2SD1286-Z-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252 |
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| 2SD1286-ZK-E1 | NEC |
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1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN |
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| 2SD1286-ZK-E1-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252AA |
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| 2SD1286-ZK-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252AA |
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| 2SD1286-ZL-E1 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP-3, 3 P |
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| 2SD1286-ZL-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252AA |
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| 2SD1286-ZL-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252AA |
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| 2SD1286-ZM | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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