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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 11 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1154P | ISC |
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Transistor |
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| 2SD1157 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD1157 | FUJI |
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TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHOING |
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| 2SD1158 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1158 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1159 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1159 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1159 | SANYO |
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TV Horizontal Deflection Output, High-Current Switching Applications |
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| 2SD1160 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, SUITABLE FOR MOTOR DRIVER APPLICATIONS) |
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| 2SD1160(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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