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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.85 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1160_06 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| 2SD1160O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
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| 2SD1160-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SD1160-O(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SD1160-O(2-7B2A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SD1160Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
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| 2SD1160-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SD1160-Y(2-7B1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SD1161 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23 |
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| 2SD1161P4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23 |
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