5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1158 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD1158 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD1159 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD1159 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD1159 | SANYO |
获取价格 |
TV Horizontal Deflection Output, High-Current Switching Applications |
|
| 2SD1160 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, SUITABLE FOR MOTOR DRIVER APPLICATIONS) |
|
| 2SD1160(2-7B1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pur |
|
| 2SD1160(2-7B2A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur |
|
| 2SD1160_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
|
| 2SD1160O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
