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2SD0814/2SD0814A(2SD814/2SD814A)

更新时间： 2024-11-24 23:20:23
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 65K
描述
2SD0814. 2SD0814A (2SD814. 2SD814A) - NPN Transistor

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2SD0814/2SD0814A(2SD814/2SD814A) 数据手册

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Transistor  
2SD0814, 2SD0814A (2SD814, 2SD814A)  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For high breakdown voltage low-frequency and low-noise  
Unit: mm  
amplification  
2.8 +–00..32  
1.5 +–00..0255  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
I
G
.
0.65 0.15  
0.65 0.15  
G
Low noise voltage NV.  
G
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
Ratings  
150  
Unit  
Collector to  
2SD0814  
2SD0814A  
2SD0814  
VCBO  
V
0.1 to 0.3  
0.4 0.2  
base voltage  
Collector to  
185  
150  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD0814A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
185  
VEBO  
ICP  
IC  
5
V
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
2:Emitter  
JEDEC:TO–236  
EIAJ:SC–59  
100  
3:Collector  
Mini Type Package  
50  
(2SD0814)  
(2SD0814A)  
Marking symbol : P  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
200  
L
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
VCB = 100V, IE = 0  
1
µA  
Collector to emitter 2SD0814  
150  
185  
5
VCEO  
IC = 100µA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SD0814A  
Emitter to base voltage  
VEBO  
IE = 10µA, IC = 0  
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 5V, IC = 10mA  
IC = 30mA, IB = 3mA  
90  
330  
1
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
150  
2.3  
Collector output capacitance  
Cob  
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
Noise voltage  
NV  
150  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
Q
R
S
90 ~ 155  
PQ  
130 ~ 220  
PR  
185 ~ 330  
PS  
2SD0814  
Marking  
Symbol  
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show  
conventional part number.  
2SD0814A  
LQ  
LR  
LS  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD0814A PANASONIC

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 		For High Breakdown Voltage Low-Frequency And Low-Noise
2SD0814A(2SD814A) ETC

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 		小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅
2SD0814A|2SD814A ETC

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 		Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SD0814AQ PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 185V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-23
2SD0814AR PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 185V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-23
2SD0814AS PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 185V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-23
2SD0814Q PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-23
2SD0814R PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-23
2SD0814S PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-23
2SD0874 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type

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