2SC4926

更新时间： 2024-11-06 06:26:43

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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Silicon NPN Epitaxial

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2SC4926 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MPAK-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.29	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.1 pF	集电极-发射极最大电压：	8 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	11000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4926 数据手册

2SC4926

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0735-0300

(Previous ADE-208-1128A)

Rev.3.00

Aug.10.2005

Application

VHF / UHF wide band amplifier

Features

•

High gain bandwidth product

f_T= 11 GHz Typ

•

High gain, low noise figure

PG = 16.5 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz

Outline

RENESAS Package code: PLSP0004ZA-A

(Package name: MPAK-4)

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

Note:

Marking is “YD–”.

Attention: This is electrostatic sensitive device.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

1.5

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7

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