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2SC4935-O

更新时间： 2024-09-16 20:06:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
TRANSISTOR 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, SC-67, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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2SC4935-O 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-67
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.88
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

2SC4935-O 数据手册

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2SC4935  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
2SC4935  
Power Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
Good h  
linearity  
FE  
Complementary to 2SA1869 and 5-watt-output applications.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
50  
V
V
V
A
A
CBO  
CEO  
EBO  
50  
5
I
3
0.3  
C
Base current  
I
B
Ta = 25°C  
Tc = 25°C  
2.0  
Collector power  
dissipation  
P
W
C
10  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
JEDEC  
JEITA  
―
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
SC-67  
2-10R1A  
TOSHIBA  
Weight: 1.7 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
I
V
V
―
―
50  
―
―
―
1.0  
1.0  
―
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
E
Emitter cut-off current  
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
EB  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I = 10 mA, I = 0  
C B  
(BR) CEO  
h
FE (1)  
V
CE  
= 2 V, I = 0.5 A  
70  
―
240  
C
DC current gain  
(Note)  
h
V
= 2 V, I = 2.5 A  
30  
―
―
―
―
―
0.4  
0.75  
80  
―
0.6  
1.0  
―
FE (2)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
I
C
= 2 A, I = 0.2 A  
V
V
CE (sat)  
B
V
BE  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
= 2 V, I = 0.5 A  
C
Transition frequency  
f
= 2 V, I = 0.5 A  
MHz  
pF  
T
C
Collector output capacitance  
C
ob  
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
30  
―
E
Note: h  
FE (1)  
classification O: 70 to 140, Y: 120 to 240  
1
2004-07-07  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4935Y ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
2SC4937 ROHM

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2SC4937/A ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4937/AB ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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