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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.2 pF | 集电极-发射极最大电压： | 8 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4931B1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236VAR |
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| 2SC4931B2 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236VAR |
|
| 2SC4931B3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236VAR |
|
| 2SC4934 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4934D | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4934E | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4935 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC4935_04 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
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| 2SC4935O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SC4935-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, SC-67, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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