2SC4551

更新时间： 2024-11-17 22:52:43

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	142K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC4551 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.22
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4551 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4551

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SC4551 is a power transistor developed for high-speed

switching and features low V^CE(sat)and high h^FE. This transistor is

ideal for use in drivers such as DC/DC converters and actuators.

In addition, a small resin-molded insulation type package

contributes to high-density mounting and reduction of mounting

cost.

FEATURES

• High h^FEand low V^CE(sat):

h^FE≥ 100 (V^CE= 2 V, I^C= 2 A)

V^CE(sat)≤ 0.3 V (I^C= 6 A, I^B= 0.3 A)

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢂꢈꢉꢆꢊꢊꢂꢃꢄꢋꢆꢊ

ꢌꢍꢈꢎꢏꢐꢂ

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

Unit

ꢑꢍꢈꢉꢆꢁꢁꢂꢃꢄꢆꢅ

ꢒꢍꢈꢀꢓꢋꢄꢄꢂꢅ

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

100

V^CEO

V^EBO

7.0

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

5.0

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15597EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SC4551相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4551-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4551K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-220VAR
2SC4551-K	NEC	获取价格	暂无描述
2SC4551-K	RENESAS	获取价格	10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4551-K-AZ	RENESAS	获取价格	10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4551-K-AZ	NEC	获取价格	10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4551L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-220VAR
2SC4551-L	RENESAS	获取价格	10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4551-L-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4551M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-220VAR

与2SC4551相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC4551

2SC4551 技术参数

2SC4551 数据手册

与2SC4551相关器件

与2SC4551相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC4551

2SC4551 技术参数

2SC4551 数据手册

与2SC4551相关器件

与2SC4551相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？