2SC4553

更新时间： 2024-11-17 22:52:43

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SC4553 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.31
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	7.5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4553 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4553

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SC4553 is a power transistor designed especially for low

collector saturation voltage and features large current switching at a

low power dissipation. In addition, a high h^FEenables alleviation of

the driver load.

FEATURES

• High h^FEand low V^CE(sat):

h^FE≅ 800 (V^CE= 2 V, I^C= 3 A)

V^CE(sat)≅ 0.12 V (I^C= 3 A, I^B= 0.03 A)

• On-chip C to E damper diode

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

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Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

100

ꢑꢍꢈꢉꢆꢁꢁꢂꢃꢄꢆꢅ

ꢒꢍꢈꢀꢓꢋꢄꢄꢂꢅ

V^CEO

V^EBO

7.0

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢀꢇꢈꢉꢉꢊꢃꢋꢊꢂꢃꢈ

7.5

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

2.0

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15599EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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与2SC4553相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4553-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
2SC4554	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR SWITCHING
2SC4555	KEXIN	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC4555	TYSEMI	获取价格	Very small-sized package Low collector-to-emitter saturation voltage.
2SC4555	SANYO	获取价格	Low-Frequency General-Purpose Amp Applications
2SC45555	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23VAR
2SC45556	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23VAR
2SC4555-6	ONSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRASM
2SC45557	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23VAR
2SC4555-7	ONSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRASM

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