2SC4552-K-AZ

更新时间： 2024-11-21 13:02:39

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	162K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC4552-K-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4552-K-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4552

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SC4552 is a power transistor developed for high-speed

switching and features low V^CE(sat)and high h^FE. This transistor is

ideal for use in drivers such as DC/DC converters and actuators.

In addition, a small resin-molded insulation type package

contributes to high-density mounting and reduction of mounting

cost.

FEATURES

• High h^FEand low V^CE(sat):

h^FE≥ 100 (V^CE= 2 V, I^C= 3 A)

V^CE(sat)≤ 0.3 V (I^C= 8 A, I^B= 0.4 A)

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Electrode Connection

1. Base

2. Collector

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

Unit

3. Emitter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

100

V^CEO

V^EBO

7.0

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

7.5

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15598EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4552L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-220VAR
2SC4552M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-220VAR
2SC4552-M	RENESAS	获取价格	15A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4552-M	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4552-M-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4553	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SC4553-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
2SC4554	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR SWITCHING
2SC4555	KEXIN	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC4555	TYSEMI	获取价格	Very small-sized package Low collector-to-emitter saturation voltage.

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