2SC4551-L-AZ

更新时间： 2024-11-18 13:01:11

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	142K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC4551-L-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.23	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4551-L-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4551

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SC4551 is a power transistor developed for high-speed

switching and features low V^CE(sat)and high h^FE. This transistor is

ideal for use in drivers such as DC/DC converters and actuators.

In addition, a small resin-molded insulation type package

contributes to high-density mounting and reduction of mounting

cost.

FEATURES

• High h^FEand low V^CE(sat):

h^FE≥ 100 (V^CE= 2 V, I^C= 2 A)

V^CE(sat)≤ 0.3 V (I^C= 6 A, I^B= 0.3 A)

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢂꢈꢉꢆꢊꢊꢂꢃꢄꢋꢆꢊ

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Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

Unit

ꢑꢍꢈꢉꢆꢁꢁꢂꢃꢄꢆꢅ

ꢒꢍꢈꢀꢓꢋꢄꢄꢂꢅ

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

100

V^CEO

V^EBO

7.0

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

5.0

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15597EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4551M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-220VAR
2SC4551-M	RENESAS	获取价格	10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2SC4551-M	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4551-M-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4552	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SC4552	RENESAS	获取价格	SILICON POWER TRANSISTOR
2SC4552	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4552	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4552	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 60V 15A Automotive 3-Pin(3+Tab) MP-45F
2SC4552-AZ	RENESAS	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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