2SC4545

更新时间： 2024-01-20 22:21:02

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描述
For Medium Output Power Amplification

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2SC4545 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4545 数据手册

Power Transistors

2SC4545

Silicon NPN epitaxial planar type

For medium output power amplification

Unit: mm

4.5 0.2

7.5 0.2

■ Features

• Allowing supply with the radial taping

0.65 0.1

0.85 0.1

1.0 0.1

0.8 C

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

1.15 0.2

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

0.5 0.1

0.4 ^0.1

0.8 C

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

1.5

1: Emitter

2: Collector

3: Base

2.5 0.2

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.5

°C

MT-3-A1 Package

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= 1 mA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

V_CE= 5 V, I_C= 1 A

µA



I_CEO

100

I_EBO

h_FE

220

V_CE(sat)I_C= 2 A, I_B= 0.2 A

V_BE(sat)I_C= 2 A, I_B= 0.2 A

1.5

f_T

V_CB= 5 V, I_E= − 0.5 A, f = 200 MHz

V_CB= 20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

50 to 100

80 to 160

120 to 220

Publication date: January 2003

SJD00130BED

12 3 4

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