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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC4546
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2SC4546

更新时间： 2024-11-17 22:40:03
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator, Lighting Inverter and General Purpose)

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2SC4546 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, FM20, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：1.26
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

2SC4546 数据手册

  
2 S C4 5 4 6  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and Ultra-high Speed Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator, Lighting Inverter and General Purpose  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
External Dimensions FM20(TO220F)  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
2SC4546  
2SC4546  
Symbol  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
Symbol  
Unit  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
100max  
100max  
400min  
10 to 25  
0.7max  
1.3max  
10typ  
ICBO  
VCB=600V  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
600  
V
IEBO  
VEB=7V  
400  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
7
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
VCE=4V, IC=3A  
IC=3A, IB=0.6A  
IC=3A, IB=0.6A  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
7(Pulse14)  
2
A
V
V
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
A
PC  
30(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
MHz  
pF  
Tj  
±0.15  
1.35  
55typ  
COB  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
tstg  
tf  
ton  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(A)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
B
C E  
200  
67  
3
10  
–5  
0.6  
–1.2  
2max  
0.15max  
0.5max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IC Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
7
7
1.0  
IC/IB=5 Const.  
6
5
4
3
2
1
0
6
5
4
3
2
1
0
0.5  
125˚C (Case Temp)  
25˚C (Case Temp)  
–30˚C (Case Temp)  
0
0.02  
0
1
2
3
4
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
0
0.5  
1.0  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
4
1
2
1
50  
tstg  
125˚C  
25˚C  
0.5  
–30˚C  
tf  
ton  
0.1  
10  
5
0.05  
0.5  
0.3  
VCC 200V  
IC:IB1:IB2=5:1:–2  
0.02  
0.2  
1
10  
100  
1000  
0.5  
1
5
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
7
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
20  
10  
5
30  
20  
10  
20  
10  
5
1
1
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
IB2=–0.5A  
Duty:less than 1%  
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
2
0
0.1  
10  
0.1  
10  
50  
100  
500 700  
50  
100  
500 700  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
114  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4546_01 SANKEN

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