2SC4543

更新时间： 2024-02-16 10:57:08

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松下 - PANASONIC		视频放大器
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2页	39K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For video amplifier)

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2SC4543 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4543 数据手册

Transistor

2SC4543

Silicon NPN epitaxial planer type

For video amplifier

Unit: mm

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

High transition frequency f_T.

■

●

Small collector output capacitance C_ob.

45°

●

Wide current range.

0.4±0.08

0.4±0.04

0.5±0.08

1.5±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

3.0±0.15

Parameter

Symbol

Ratings

110

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_CBO

V_CER

100

marking

V_CEO

V_EBO

I_CP

3.5

300

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–62

Mini Power Type Package

I_C

150

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

R_EB= 1.2kΩ

P_C

1.0

Marking symbol : 1F

T_j

150

˚C

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CEO

Conditions

V_CE= 35V, I_B= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

h_FE

I_C= 100µA, I_E= 0

110

100

I_C= 500µA, R_BE= 470Ω

I_C= 1mA, I_B= 0

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_E= 100µA, I_C= 0

3.5

Forward current transfer ratio

V_CE= 5V, I_C= 100mA^*

I_C= 150mA, I_B= 15mA^*

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= –110mA^*, f = 200MHz

V_CB= 30V, I_E= 0, f = 1MHz

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.5

f_T1

300

350

MHz

Transition frequency

f_T2

Collector output capacitance

C_ob

^*Pulse measurement

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