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2SC4544

更新时间： 2024-02-29 05:35:18
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 744K
描述
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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2SC4544 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：100 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：70 MHz
Base Number Matches：1

2SC4544 数据手册

 浏览型号2SC4544的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4544的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4544的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
2SC4544  
Features  
·
·
High Voltage: V(BR)CEO=300V  
NPN Silicon  
Transistors  
Small Collector Output Capacitance: Cob=3.0pF (Typ.)  
Collector metal (Fin) is fully covered with mold resin.  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
·
•
MaCxliamssiuficmatioRnaRtaitninggs94V-0  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
300  
300  
7.0  
100  
50  
Unit  
V
V
V
mA  
mA  
TO-220F  
A
M
N
IB  
Base Current  
Collector power dissipation  
Ta=25OC  
C
PC  
2.0  
8.0  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
K
Tc=25OC  
TJ  
TSTG  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
OC  
OC  
D
E
1
2
3
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
F
P
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
J
OFF CHARACTERISTICS  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=240Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=7.0Vdc, IC=0)  
---  
---  
---  
---  
1.0  
1.0  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
H
Q
G
ON CHARACTERISTICS  
Forward Current Transfer ratio  
(IC=4.0mAdc, VCE=10Vdc)  
Forward Current Transfer ratio  
hFE-1  
---  
---  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
20  
30  
---  
---  
50  
---  
---  
---  
---  
---  
70  
3.0  
---  
200  
1.0  
1.5  
---  
COLLECTOR  
EMITTER  
hFE-2  
(I =20mAdc, VCE=10Vdc)  
C
VCE(sat)  
Collector Saturation Voltage  
INCHES  
MM  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
DIM  
NOTE  
(I =10mAdc, IB=1.0mAdc)  
MIN  
.382  
.118  
MAX  
.406  
.134  
MIN  
9.70  
3.00  
MAX  
10.30  
3.40  
C
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
P
Q
VBE(SAT)  
Base Saturation Voltage  
Φ
(I =10mAdc,IB=1.0mAdc)  
C
.118  
3.00  
Transition Frequency  
.579  
.512  
---  
.090  
.024  
.602  
---  
.220  
.110  
.035  
14.70  
13.00  
---  
2.29  
0.60  
15.30  
---  
fT  
(VCE=10Vdc, I =20mAdc)  
C
5.60  
2.79  
0.90  
Collector Output Capacitance  
Cob  
(VCE=20Vdc, I =0, f=1.0MHz)  
---  
E
.043  
.154  
1.10  
3.90  
.169  
.098  
.185  
.114  
4.30  
2.50  
4.70  
2.90  
.102  
2.60  
.024  
.035  
0.60  
0.90  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: 3  
2006/05/18  
1234

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