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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC4502
2SC4502 PDF预览

2SC4502

更新时间： 2024-09-19 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For mtermediate frequency amplification)

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2SC4502 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

2SC4502 数据手册

 浏览型号2SC4502的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SC4502  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For mtermediate frequency amplification  
Unit: mm  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
6.9±0.1  
4.0  
(1.45)  
0.8  
0.7  
Features  
High transition frequency fT.  
■
●
●
Large collector power dissipation PC.  
●
0.65 max.  
Allowing supply with the radial taping.  
0.45+–00..105  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
2.5±0.5 2.5±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
1
2
3
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
50  
45  
V
4
V
Note: In addition to the  
lead type shown in  
1:Emitter  
2:Collector  
50  
mA  
W
the upper figure, the 3:Base  
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
type as shown in  
the lower figure is  
also available.  
MT2 Type Package  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
1.2±0.1  
0.65  
max.  
+
0.1  
0.45–0.05  
(HW type)  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = 20V, IE = 0  
IC = 100µA, IE = 0  
C = 1mA, IB = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
nA  
V
Collector cutoff current  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
100  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
hFE  
50  
45  
4
I
V
IE = 100µA, IC = 0  
V
Forward current transfer ratio  
VCE = 10V, IC = 10µA  
20  
100  
0.4  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Transition frequency fT  
IC = 20mA, IB = 2mA  
V
MHz  
pF  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = –1mA, f = 10.7MHz  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 58MHz  
300  
22  
Common emitter reverse transfer capacitance Cre  
1.5  
30  
Power gain  
PG  
dB  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4503 SANKEN

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 		Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4504 SANYO

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 		High-Definition CRT Display Video Output Driver Applications
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