5秒后页面跳转
2SC4505T200N PDF预览

2SC4505T200N

更新时间: 2024-09-20 19:08:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 123K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SC4505T200N 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.64外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):56
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:2 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):20 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

2SC4505T200N 数据手册

 浏览型号2SC4505T200N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4505T200N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4505T200N的Datasheet PDF文件第4页 

与2SC4505T200N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4505T200NP ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T200NQ ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T200P ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T200PQ ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T200Q ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4506 ROHM

获取价格

TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE
2SC4506C ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-225VAR
2SC4506D ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-225VAR
2SC4506E ROHM

获取价格

Transistor
2SC4506T114 ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy