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2SC4507_2015

更新时间： 2024-11-09 01:18:51

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4507_2015 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4507

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·High breakdown voltage

·High speed switching performance

APPLICATIONS

·For switching regulator and general

purpose power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

500

400

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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