2SC4511O

更新时间： 2024-11-10 13:04:19

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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1页	27K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM20, TO-220F, 3 PIN

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2SC4511O 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	FM20, TO-220F, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4511O 数据手册

2 S C4 5 1 1

Absolute maximum ratings

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1725)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions FM20(TO220F)

■

(Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

2SC4511

Symbol

I^CBO

2SC4511

10max

80min

Symbol

Conditions

Unit

µA

±0.2

4.2

±0.2

10.1

0.5

2.8

V^CBO

VCEO

VEBO

120

V^CB=120V

IEBO

V^EB=6V

V(BR)CEO

hFE

I^C=25mA

±0.2

ø3.3

50min

V^CE=4V, IC=2A

I^C=2A, IB=0.2A

V^CE=12V, IE=–0.5A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

0.5max

20typ

MHz

30(Tc=25°C)

150

°C

±0.15

1.35

COB

110typ

±0.15

1.35

Tstg

–55 to +150

h^FERank O(50 to100), P(70 to140), Y(90 to180)

+0.2

-0.1

0.85

+0.2

-0.1

0.45

±0.2

2.4

2.54

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

±0.2

2.2

VCC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

IB1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

Weight : Approx 2.0g

a. Type No.

C E

b. Lot No.

–5

0.3

–0.3

0.16typ

2.60typ

0.34typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

30mA

20mA

I^B=10mA

IC=6A

0.5

Base Current I^B(A)

1.0

1.5

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

300

100

200

125˚C

100

25˚C

Typ

–30˚C

0.5

0.4

0.02

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

5 6

0.02

0.1

0.5

5 6

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

0.1

Without Heatsink

0.05

–0.02

–0.1

–1

–6

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

110

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4511P	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SC4511Y	ISC	获取价格	Transistor
2SC4512	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4512	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SC4512	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4512	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4512	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 80V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220
2SC4512_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4512_2015	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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