2SC4509

更新时间： 2024-09-20 04:26:03

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
3页	210K
描述
POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC4509 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	80 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC4509 数据手册

FUJI POWER TRANSISTOR

2SC4509

TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE

HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING

Outline Drawings

TO-3PF

Features

High voltage,High speed switching

Low saturation voltage

High reliability

Applications

Switching regulators

DC-DCconvertors

JEDEC

EIAJ

(TO-3PF)

Solid state relay

General purpose power amplifiers

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)

Item

Symbol

VCBO

Ratings

500

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

400

VCEO

VCEO(SUS)

VEBO

Base current

°C

Collector power disspation

Operating junction temperature

Storage temperature

+150

-55 to +150

Tstg

Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max. Units

Symbol

VCBO

VCEO

VCEO(SUS)

VEBO

ICBO

Test Conditions

Item

ICBO = 1mA

500

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector-Base leakage current

Emitter-Base leakage current

D.C. current gain

IC = 200mA

400

IEBO = 1mA

0.1

VCBO = 450V

VEBO = 10V

IEBO

hFE

IC = 1A, VCE = 5V

IC = 4A, IB = 0.8A

VCE(Sat)

VBE(Sat)

ton

0.8

1.2

1.0

2.5

0.5

Collector-Emitter saturation voltage

Base-Emitter saturation voltage

µs

IC = 5A, IB1 = 0.5A

tstg

IB2 = -1A, RL = 30 ohm

Switching time

Pw = 20 s Duty=<2%

Thermal characteristics

Min.

Typ.

Max. Units

Item

Symbol

Rth(j-c)

Test Conditions

Junction to case

1.56

°C/W

Thermal resistance

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SC4509相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4509_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4509_2015	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4509R	ETC	获取价格	BJT
2SC4510	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4510	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4510	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4510_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4510_2015	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4510R	ETC	获取价格	BJT
2SC4511	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)