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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.64 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4505T200Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SC4506 | ROHM |
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TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SC4506C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-225VAR |
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| 2SC4506D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-225VAR |
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| 2SC4506E | ROHM |
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Transistor |
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| 2SC4506T114 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SC4506T114/C | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SC4506T114/CD | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SC4506T114/CE | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SC4506T114/DE | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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