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2SC4505T100/Q PDF预览

2SC4505T100/Q

更新时间： 2024-09-20 19:44:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 67K
描述
0.1A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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2SC4505T100/Q 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SC4505T100/Q 数据手册

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2SC4505  
Transistors  
Power Transistor (400V, 0.1A)  
2SC4505  
z
(Unit : mm)  
Dimensions  
zFeatures  
1) High breakdown voltage. (BVCEO = 400V)  
2) Low saturation voltage,  
MPT3  
4.5  
1.6  
1.5  
typically VCE (sat)= 0.05V at IC / IB = 10mA / 1mA.  
3) High switching speed, typically tf = 1.7µs at Ic =100mA.  
4) Complements the 2SC4505 and the 2SA1759.  
(1)  
(2)  
(3)  
0.4  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
z
Packaging specifications and hFE  
1.5  
1.5  
(1)Base  
Type  
2SC4505  
MPT3  
PQ  
(2)Collector  
(3)Emitter  
Package  
hFE  
Marking  
Code  
CE∗  
T100  
1000  
Basic ordering unit (pieces)  
∗
Denotes hFE  
z
(Ta=25 C)  
Absolute maximum ratings  
°
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
400  
V
400  
V
7
V
A (DC)  
A (Pulse)  
W
0.1  
I
C
Collector current  
0.2  
∗
1
2
0.5  
Collector power dissipation  
PC  
∗
2
W
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗
1 Single pulse, Pw=20ms, Duty=1/2  
∗
2 When mounted on a 40 40 0.7mm ceramic board.  
×
×
z
(Ta=25 C)  
°
Electrical characteristics  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
400  
400  
7
−
−
−
−
−
0.05  
−
−
20  
7
−
−
−
10  
10  
0.5  
1.5  
270  
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
C
V
E
=50µA  
CB=400V  
EB=6V  
I
CBO  
−
−
−
−
82  
−
−
−
−
µA  
µA  
V
V
V
I
EBO  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Transition frequency  
V
CE(sat)  
I
I
C
/I  
/I  
B
=10mA/1mA  
=10mA/1mA  
VBE(sat)  
V
C
B
hFE  
−
V
V
V
CE=10V , I  
CE=10V , I  
CB=10V , I  
C
=10mA  
f
T
MHz  
pF  
µs  
µs  
µs  
E
E
=−10mA , f=10MHz  
=0A , f=1MHz  
Output capacitance  
Cob  
Turn-on time  
t
on  
1
I
I
C
=−100mA R  
B1=−IB2=10mA  
CC~−150V  
L=1.5kΩ  
Storage time  
t
stg  
5.5  
1.7  
Fall time  
t
f
−
V
Rev.D  
1/3  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4505T100N ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T100NP ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T100NQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T100P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-89
2SC4505T100PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T100Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-89
2SC4505T101 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T101/N ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4505T101/PQ ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
2SC4505T101N ROHM

获取价格

 		100mA, 400V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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