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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.01 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4001-M-AZ | NEC |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN |
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| 2SC4002 | SANYO |
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High-Voltage Driver Applications |
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| 2SC4002 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| 2SC4002D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC4002E | ROCHESTER |
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200mA, 400V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, NP, 3 PIN |
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| 2SC4002-E | ROCHESTER |
获取价格 |
200mA, 400V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, NP, 3 PIN |
|
| 2SC4003 | TYSEMI |
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High breakdown voltage Adoption of MBIT process Excellent hFE linearity |
|
| 2SC4003 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
|
| 2SC4003 | TRSYS |
获取价格 |
Plastic-Encapsulated Transistors |
|
| 2SC4003 | SANYO |
获取价格 |
High-Voltage Driver Applications |
|
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