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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC4004
2SC4004 PDF预览

2SC4004

更新时间： 2024-09-22 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 61K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC4004 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.76
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：3
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER BISMUTH COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

2SC4004 数据手册

 浏览型号2SC4004的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4004的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SC4004  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high breakdown voltage high-speed switching  
Unit: mm  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
2.7±0.2  
Features  
High-speed switching  
■
●
●
High collector to base voltage VCBO  
φ3.1±0.1  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
1.7±0.2  
one screw  
1.3±0.2  
1.05±0.1  
0.8±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
0.5+–00..21  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
2.54±0.3  
5.08±0.5  
Collector to base voltage  
900  
900  
V
Collector to emitter voltage  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
800  
V
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
7
V
TO–220 Full Pack Package(b)  
2
A
IC  
1
A
Base current  
IB  
0.3  
A
Collector power TC=25°C  
30  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 900V, IE = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
hFE2  
VEB = 7V, IC = 0  
IC = 1mA, IB = 0  
50  
Collector to emitter voltage  
800  
6
V
CE = 5V, IC = 0.05A  
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 0.5A  
IC = 0.2A, IB = 0.04A  
3
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
1.5  
1.0  
V
V
I
C = 0.2A, IB = 0.04A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10V, IC = 0.05A, f = 1MHz  
4
MHz  
µs  
1.0  
3.0  
1.0  
IC = 0.2A, IB1 = 0.04A, IB2 = – 0.04A,  
VCC = 250V  
µs  
µs  
1
123

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2SC4004 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC3979 PANASONIC

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