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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220ML |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.03 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 42 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4006-RA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 42V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4006-YA | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 42V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4007 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC4007 | ROHM |
获取价格 |
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
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| 2SC4007/DE | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC4007/DF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC4007/DG | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC4007/EF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC4007/EG | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC4007/FG | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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