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2SC3975

更新时间： 2024-11-13 22:39:59
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松下 - PANASONIC 开关
页数 文件大小 规格书
3页 61K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC3975 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.76
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：500 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SC3975 数据手册

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Power Transistors  
2SC3975  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high breakdown voltage high-speed switching  
Unit: mm  
15.0±0.3  
11.0±0.2  
5.0±0.2  
Features  
High-speed switching  
3.2  
■
●
●
High collector to base voltage VCBO  
Wide area of safe operation (ASO)  
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
φ3.2±0.1  
2.0±0.2  
●
●
●
2.0±0.1  
0.6±0.2  
one screw  
1.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
5.45±0.3  
10.9±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
800  
1
2
3
800  
V
Collector to emitter voltage  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
500  
V
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
8
V
TOP–3 Full Pack Package(a)  
20  
A
IC  
10  
A
Base current  
IB  
5
A
Collector power TC=25°C  
100  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
100  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 800V, IE = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
hFE2  
VEB = 5V, IC = 0  
IC = 10mA, IB = 0  
Collector to emitter voltage  
500  
15  
8
V
CE = 5V, IC = 0.1A  
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 6A  
IC = 6A, IB = 1.2A  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
1.0  
1.5  
V
V
I
C = 6A, IB = 1.2A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
20  
MHz  
µs  
1.0  
3.0  
0.3  
IC = 6A, IB1 = 1.2A, IB2 = –2.4A,  
VCC = 200V  
µs  
µs  
1
123

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