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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3982A
2SC3982A PDF预览

2SC3982A

更新时间： 2024-11-13 22:39:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC3982A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3L
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：6
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：3.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

2SC3982A 数据手册

 浏览型号2SC3982A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3982A的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SC3982, 2SC3982A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high breakdown voltage high-speed switching  
Unit: mm  
φ 3.3±0.2  
5.0±0.3  
20.0±0.5  
3.0  
Features  
High-speed switching  
■
●
●
High collector to base voltage VCBO  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
1.5  
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
1.5  
2.0±0.3  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
2.7±0.3  
3.0±0.3  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
1.0±0.2  
0.6±0.2  
Collector to  
base voltage  
Collector to  
2SC3982  
900  
VCBO  
V
5.45±0.3  
2SC3982A  
2SC3982  
1000  
10.9±0.5  
900  
VCES  
V
emitter voltage 2SC3982A  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
1000  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
VCEO  
VEBO  
ICP  
800  
V
V
A
A
A
1
2
3
7
TOP–3L Package  
15  
IC  
10  
Base current  
IB  
5
150  
Collector power TC=25°C  
PC  
W
Ta=25°C  
dissipation  
3.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
Collector cutoff  
2SC3982  
VCB = 900V, IE = 0  
VCB = 1000V, IE = 0  
EB = 7V, IC = 0  
µA  
current  
2SC3982A  
50  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
hFE2  
V
50  
µA  
Collector to emitter voltage  
IC = 10mA, IB = 0  
800  
8
V
VCE = 5V, IC = 0.1A  
Forward current transfer ratio  
V
CE = 5V, IC = 4A  
6
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 4A, IB = 0.8A  
1.5  
1.5  
V
V
IC = 4A, IB = 0.8A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 5V, IC = 1A, f = 1MHz  
15  
MHz  
µs  
0.7  
3.0  
0.3  
IC = 4A, IB1 = 0.8A, IB2 = –1.6A,  
VCC = 250V  
µs  
µs  
1
123

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