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2SC3978

更新时间： 2024-11-14 00:00:43
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松下 - PANASONIC 开关
页数 文件大小 规格书
3页 62K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC3978 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：6
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2SC3978 数据手册

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Power Transistors  
2SC3978, 2SC3978A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For high breakdown voltage high-speed switching  
Unit: mm  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
Features  
High-speed switching  
■
2.7±0.2  
●
●
High collector to base voltage VCBO  
φ3.1±0.1  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
+0.2  
–0.1  
■
C
0.5  
0.8±0.1  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SC3978  
2SC3978A  
2SC3978  
900  
2.54±0.25  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
1000  
5.08±0.5  
1
2
3
900  
VCES  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
emitter voltage 2SC3978A  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
1000  
VCEO  
VEBO  
ICP  
800  
V
V
A
A
A
TO–220 Full Pack Package(a)  
7
3
IC  
2
Base current  
IB  
0.5  
Collector power TC=25°C  
35  
PC  
W
Ta=25°C  
dissipation  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
Collector cutoff  
2SC3978  
VCB = 900V, IE = 0  
µA  
current  
2SC3978A  
VCB = 1000V, IE = 0  
VEB = 7V, IC = 0  
50  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
hFE2  
50  
µA  
Collector to emitter voltage  
IC = 10mA, IB = 0  
800  
8
V
VCE = 5V, IC = 0.1A  
VCE = 5V, IC = 0.5A  
IC = 0.5A, IB = 0.1A  
IC = 0.5A, IB = 0.1A  
VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 1MHz  
Forward current transfer ratio  
6
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
1.5  
1.5  
V
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
15  
MHz  
µs  
0.7  
2.5  
0.3  
IC = 0.5A, IB1 = 0.1A, IB2 = – 0.2A,  
VCC = 250V  
µs  
µs  
1
123

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