2SC3980

更新时间： 2024-11-13 22:13:47

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描述
Silicon NPN triple diffusion planar type

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2SC3980 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-92
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.77	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	6
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3980 数据手册

Power Transistors

2SC3980, 2SC3980A

Silicon NPN triple diffusion planar type

For high breakdown voltage high-speed switching

Unit: mm

Features

High-speed switching

■

15.0±0.3

11.0±0.2

5.0±0.2

●

3.2

●

High collector to base voltage V_CBO

●

Wide area of safe operation (ASO)

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

φ3.2±0.1

2.0±0.2

●

2.0±0.1

0.6±0.2

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1.1±0.1

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

5.45±0.3

10.9±0.5

Collector to

2SC3980

2SC3980A

2SC3980

900

V_CBO

base voltage

Collector to

1000

900

V_CES

1:Base

2:Collector

3:Emitter

emitter voltage 2SC3980A

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1000

V_CEO

V_EBO

I_CP

800

TOP–3 Full Pack Package(a)

I_C

Base current

I_B

Collector power T_C=25°C

P_C

Ta=25°C

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff

2SC3980

V_CB= 900V, I_E= 0

µA

current

2SC3980A

V_CB= 1000V, I_E= 0

V_EB= 7V, I_C= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

h_FE1

h_FE2

µA

Collector to emitter voltage

I_C= 10mA, I_B= 0

800

V_CE= 5V, I_C= 0.1A

V_CE= 5V, I_C= 2A

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 2A, I_B= 0.4A

V_CE= 5V, I_C= 0.2A, f = 1MHz

1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

MHz

µs

0.7

2.5

0.3

I_C= 2A, I_B1= 0.4A, I_B2= – 0.8A,

V_CC= 250V

µs

12 3

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