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2SC3858Y

更新时间： 2024-09-15 20:26:23

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三垦 - SANKEN		/
页数	文件大小	规格书
1页	28K
描述
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT-200, 3 PIN

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2SC3858Y 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3858Y 数据手册

2 S C3 8 5 8

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1494)

Application : Audio and General Purpose

(Ta=25°C)

External Dimensions MT-200

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Ratings

100max

200min

50min

Ratings

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB=200V

Unit

µA

Unit

±0.2

6.0

±0.3

36.4

24.4

200

±0.2

2.1

±0.1

2-ø3.2

IEBO

V^EB=6V

200

V(BR)CEO

hFE

I^C=50mA

V^CE=4V, IC=8A

I^C=10A, IB=1A

V^CE=12V, IE=–1A

V^CB=10V, f=1MHz

MHz

2.5max

20typ

VCE(sat)

200(Tc=25°C)

150

°C

300typ

COB

+0.2

-0.1

0.65

+0.2

-0.1

1.05

h^FERank Y(50 to 100), P(70 to 140), G(90 to 180)

Tstg

–55 to +150

+0.3

-0.1

3.0

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 18.4g

a. Part No.

R^L

(Ω)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

V^CC

(V)

I^C

(A)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–5

–1

0.5typ

0.6typ

1.8typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(V^CE=4V)

50mA

IC=15A

I^B=20mA

10A

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

300

200

125˚C

100

Typ

25˚C

100

–30˚C

0.5

0.02

0.1

0.5

10 17

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

10 17

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

200

160

120

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

0.1

–0.02

100

300

–0.1

–1

Emitter Current I^E(A)

–10

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3859	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
2SC385A	TOSHIBA	获取价格	2SC385A
2SC3860	SANYO	获取价格	PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
2SC3860-AP	ONSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3862	TOSHIBA	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TY TUNER, UHF MIXER, VHF~UHF BAND RF AMPLIFIER APPLICATIONS
2SC3862_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar Type TV Tuner, UHF Mixer Applications
2SC3862TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC3862TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
2SC3863	SANYO	获取价格	PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
2SC3864	ETC	获取价格

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