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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.4 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2400 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3863 | SANYO |
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PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS |
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| 2SC3864 | ETC |
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| 2SC3864-AD | ONSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC3865 | NJSEMI |
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HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SC3866 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3866 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3866 | JMNIC |
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Silicon Power Transistors |
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| 2SC3866 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE |
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| 2SC3866_1 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3866_15 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
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